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罗姆完成第 5 代碳化硅（SiC）MOSFET 开发，高温导通电阻降低约 30%_蜘蛛资讯网

代 SiC MOSFET 有助于缩小单元体积，提高输出功率。此外芯片也非常适用于 AI 服务器电源和数据中心等工业设备的电源。罗姆计划从 2026 年 7 月起开始提供配有第 5 代 SiC MOSFET 的分立器件和模块的样品。未来，ROHM 将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于

对手在下一步行动中犹豫不决。他表现得非常出色。”此役，琼斯9中7，三分5中4得到20分3板1助3断3帽。

步拉开差距，半场结束时已领先 17 分。          　　易边再战，詹姆斯与肯纳德轮休，八村塁、艾顿依旧手感滚烫，布朗尼第三节单节轰下 11 分，助力湖人持续扩大领先。末节湖人全替补出战仍牢牢掌控局面，分差始终保持在 20 分以上，最终湖人以 

硅 (SiC) MOSFET 的开发工作。相较上代，新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30%。罗姆表示，在各类电动汽车 (xEV) 用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，其第 5 代 SiC MOSFET 有助于缩小单元体积，提高输出功率。此外芯片也非常适用于 AI 服务器电源和数据中心等工业设备的电源。罗姆计划从 2026 年 7 月起开始

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